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本发明涉及硅片表面金属杂质的管控方法，所述方法包括以下步骤：提供硅片；进行湿润处理，将超纯水喷洒在所述硅片上，使所述硅片的表面充分湿润；将表面充分湿润的硅片进行干燥处理；重复湿润处理和干燥处理的步骤；进行酸溶液处理，用酸溶液处理所述硅片的表面，得到处理液；进行分析处理，使用ICPMS分析所述处理液中的金属离子含量；判断步骤，将检测到的所述金属离子含量与金属污染下限值进行比较，判断超纯水是否能够继续清洗硅片。由此，通过该方法可以检测出超纯水中的金属离子对硅片的污染量，能够确定超纯水中的金属离子对硅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614789 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011349781.7
(22)申请日 2020.11.26
(71)申请人 徐州鑫晶半导体科技有限公司
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