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本公开提供了一种砷化铟晶体生长装置及生长方法。装置包括生长容器、坩埚盖、设有炉腔的炉体以及温控装置。生长容器包括内坩埚和外坩埚,坩埚盖用于密封外坩埚,内坩埚包括第一主体部、用于容纳籽晶的第一籽晶腔和第一肩部,第一主体部位于第一籽晶腔上方;外坩埚套设于内坩埚外并与内坩埚隔开,且外坩埚的内部轮廓与内坩埚的外部轮廓匹配;生长容器位于炉腔内,炉腔由上至下依次设有第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区,温控装置设置于第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区,用于加热各温区并控制其温度;沿
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112575379 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011450933.2
(22)申请日 2020.12.09
(71)申请人 广东先导先进材料股份有限公司
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