一种多晶硅耗尽效应的改善方法.pdfVIP

下载本文档

10
0
约6.37千字
约 6页
2023-06-02 发布于四川
举报
版权申诉

一种多晶硅耗尽效应的改善方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开了一种多晶硅耗尽效应的改善方法，属于半导体器件及制造领域。本包括：源漏极离子注入之后形成源区和漏区；在源区的第二侧墙处进行湿法刻蚀，形成金属硅化物阻挡层；对多晶硅采用浸入式退火工艺进行退火处理；本发明在PPlus源漏极离子注入后采用普通浸入式退火工艺代替尖峰退火，使硼在栅极多晶硅中的分布均匀，抑制了多晶硅耗尽效应，多晶硅的厚度不再对PMOS的阈值电压产生影响，稳定性得到很大提升。此外，RTA工艺变更导致的PMOS器件漂移可以通过NW及Halo调回至器件所需状态，可靠性不会受到影响；同时

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116190234 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202211097111.X (22)申请日 2022.09.08 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址