带侧壁互连结构的半导体装置及其制造方法及电子设备.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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带侧壁互连结构的半导体装置及其制造方法及电子设备.pdf

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公开了一种带侧壁互连结构的半导体装置及其制造方法及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括：多个器件叠层，每一器件叠层包括堆叠的多层半导体器件，每个半导体器件包括在竖直方向上叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及围绕沟道层的栅电极；设置在所述多个器件叠层之间的互连结构。互连结构可以包括电隔离层以及电隔离层中的导电结构。至少一部分半导体器件各自的第一源/漏层、第二源/漏层和栅电极中至少之一与互连结构中相应高度处的导电结构在横向上相接触并因此电连接。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582377 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011463249.8 (22)申请日 2020.12.11 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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