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一种在位线结构中设置有传输门的SRAM及存取提升方法.pdfVIP

一种在位线结构中设置有传输门的SRAM及存取提升方法.pdf

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    本发明提出一种在位线结构中设置有传输门的SRAM及存取提升方法，该SRAM包括：多个存储单元，组成存储阵列；每个个存储单元包括外围驱动电路，字线WL、锁存器，以及位线；所述位线包括位线BL、和位线其中，在位线的预定位置处插入一个双向传输门，以所述双向传输门为节点，将位线截为两段，使得靠近读出放大器一侧位线寄生RC降低，提升存取速度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112579002 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011469195.6 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人 北京北大众志微系统科技有限责任

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