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2023-06-02 发布于四川
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半导体装置.pdf

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半导体装置包括：半导体衬底，其具有主面；半导体层，其形成在所述半导体衬底的所述主面上，且包含与所述半导体衬底的所述主面相接的第一导电型的低浓度层、以及形成在该半导体层中与所述主面相反的一侧的表面的表层部且杂质浓度比所述低浓度层高的第一导电型的高浓度层；以及肖特基电极，其形成在所述半导体层的所述表面上，且与所述高浓度层形成肖特基结。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116195034 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202180064160.0 (74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限