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提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582417 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202010867759.5
(22)申请日 2020.08.26
(30)优先权数据
10-2019-0
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