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本发明涉及一种三维智能微系统芯片，主要包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；其中，第一芯片包括传感层。针对传统传感器(如MEMS)难以与CMOS集成的痛点，本发明将传感器、处理器、存储器通过晶圆级的集成封装可实现更高的集成密度，更好的鲁棒性，降低电气连接中的寄生电容，降低测试成本，是大阵列传感器实现的前提，数据在内部传输也降低了数据被窃取的风险；同时保持了多芯片方案更好的材料兼容性和更快的产品开发周期的优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582371 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011465265.0 B81B 7/02 (2006.01)
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