硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法.pdfVIP

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2023-06-03 发布于四川
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硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法.pdf

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本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；通过评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法，对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；通过使评价对象硅试样与溶液接触，进行上述氢原子的导入，并且上述溶液是摩尔比(HNO3/(HNO3+HF))为0.72以上0.82以下的范围或0.87以上0.91

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112640071 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 201980057224.7 (74)专利代理机构北京北新智诚知识产权代理

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