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2023-06-03 发布于四川
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半导体存储器件及其制造方法.pdf

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公开了半导体存储器件及其制造方法。可以提供该方法，包括：通过在衬底上交替堆叠多个第一绝缘层和多个第二绝缘层来形成模制结构；对模制结构进行图案化以形成第一沟槽，第一沟槽暴露模制结构的第一内侧壁；使用衬底作为种子，在第一沟槽中生长竖直半导体层，使得竖直半导体层覆盖第一内侧壁；对模制结构进行图案化以形成第二沟槽，第二沟槽暴露模制结构的第二内侧壁；通过从模制结构中经由第二沟槽选择性地去除第二绝缘层来形成多个凹陷；以及使用竖直半导体层作为种子，在相应的凹陷中水平生长多个水平半导体层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635471 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202010822815.3 (22)申请日 2020.08.14 (30)优先权数据

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