一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器.pdfVIP

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2023-06-03 发布于四川
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一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器.pdf

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本发明涉及一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器。本发明的方法包括以下步骤：1)检测功率MOSFET的功率管源漏两端的电压；2)计算出功率MOSFET的功率管的源漏电压差；3)通过内部电流基准输出电流至外部低温漂普通电阻，从而转化为基准电压；4)通过比较基准电压同功率MOSFET的功率管源漏之间的压差，从而判断功率MOSFET的功率管所处状态；5)通过设置不同阻值的电阻，实现对不同功率的功率MOSFET的功率管的控制。本发明具有缩小功率MOSFET控制电路面积的优点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112653318 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011393919.3 (22)申请日 2020.12.05 (71)申请人西安翔腾微电子科技有限公司