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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明提供了一种基于错误率的动态存储器刷新控制方法，所述方法包括：根据错误率调整刷新周期；根据调整后的所述刷新周期发送刷新指令。根据动态存储器读取时的错误率而调整DRAM动态存储器的刷新周期，从而可以解决由各种因素导致的存储单元数据保持时间缩短的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652341 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011527038.6
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 深圳市国微电子有限公司
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