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一种硅片定位分段式涂蜡转速改善平坦度的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种硅片定位分段式涂蜡转速改善平坦度的方法.pdf

    本发明提供了一种硅片定位分段式涂蜡转速改善平坦度的方法，包括如下步骤：步骤一，滴蜡后，硅片低速旋转，低速旋转的速度为1000‑1500rpm；步骤二，硅片中速旋转，中速旋转的速度为2000‑2500rpm；步骤三，硅片高速旋转，高速旋转的速度为3000～3500rpm。本专利将涂蜡旋转分为3个步骤，实现了蜡膜厚度的一致性，且蜡膜厚度控制在要求范围内，较厚的蜡膜容易造成波纹的不良。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115770709 A (43)申请公布日 2023.03.10 (21)申请号 202211555604.3 (22)申请日 2021.09.01 (62)分案原申请数据 202111019766.0

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