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一种高性能薄片R-T-B稀土永磁体的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种高性能薄片R-T-B稀土永磁体的制备方法.pdf

    本发明公开了一种高性能薄片R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，所述方法为：将磁体基体加工成厚度为0.5～10.0mm的磁片，在室温条件下将磁片置于酸洗液中超声酸洗10～180s，随后用清水超声清洗1～5min后烘干，所述酸洗液为含有0.1～5vol％酸性表面钝化液和1.0～10vol.％硝酸的水溶液；酸洗处理后的磁片表面沉积重稀土元素扩散层，然后进行晶界扩散处理，制得所述高性能薄片R‑T‑B稀土永磁体。本发明通过控制酸洗工艺，将磁体表层晶界富R相的腐蚀深度控制在0.1～0.4倍的表面两主相晶界深度，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115775679 A (43)申请公布日 2023.03.10 (21)申请号 202211556275.4 (22)申请日 2022.12.06 (71)申请人 浙江英洛华磁业有限公司 地址 32

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