多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器及其存储方法.pdfVIP

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2023-06-03 发布于四川
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多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器及其存储方法.pdf

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本发明公开了多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器及其存储方法，一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值远大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；本发明能够在不增加制造工艺复杂度的条件下，实现非易失性存储功能；同时，双单元结构，相对于其他CMOS工艺的非易失性存储器，降低了存储器的占用面积，从而为业界提供了一种高性价比的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107256721 A (43)申请公布日 2017.10.17 (21)申请号 20171