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一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片装置包含晶片组合件，所述晶片组合件包含一或多个空腔。所述测量晶片装置进一步包含检测器组合件。所述检测器组合件安置于所述晶片组合件的所述一或多个空腔内。所述检测器组合件包含一或多个光传感器。所述检测器组合件进一步经配置以执行对入射于所述晶片组合件的表面上的紫外光强度的直接或间接测量。所述检测器组合件进一步经配置以基于所述一或多个光传感器的一或多个特性确定所述晶片组合件的一或多个部分的温度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112635365 B
(45)授权公告日 2022.04.01
(21)申请号 202011524836.3 (51)Int.Cl.
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