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一种单向负阻浪涌防护芯片的制造方法。本发明涉及芯片加工领域，尤其涉及一种单向负阻浪涌防护芯片的制造方法。提供了一种在无需晶片片厚极限减薄的情况下，使产品具有负阻特性及低的正向接触电压的单向负阻浪涌防护芯片的制造方法。本发明在工作中，包含P型衬底原硅片；通过在P型硅衬底的两侧进行淡磷掺杂形成N‑扩散区；在上侧N‑区进行浓硼掺杂形成P+区，在下侧N‑区掺杂浓磷，形成N++区，同时下层N‑区改变为N+区，从而制得单向负阻浪涌防护芯片。本发明避免了封装过程中晶片过薄而造成的应力，提升产品可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614782 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011476918.5
(22)申请日 2020.12.15
(71)申请人 扬州杰利半导体有限公司
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