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一种具有典型长颗粒形貌、富含层错和孪晶的碳化硅晶须陶瓷及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种具有典型长颗粒形貌、富含层错和孪晶的碳化硅晶须陶瓷及其制备方法.pdf

    本发明提供一种具有典型长颗粒形貌、富含层错和孪晶的碳化硅晶须陶瓷及其制备方法。以β‑碳化硅晶须为原料，在碳化硅晶须中加入高温液相烧结助剂Y2O3‑Al2O3‑SiO2。在高温烧结过程中，通过液相烧结助剂在压力下的流动来填充碳化硅晶须骨架之间的空隙，在实现碳化硅晶须致密化的同时，避免了晶须在高温烧结过程中的异常长大和二次再结晶，进而使得碳化硅晶须长颗粒形貌和大量孪晶、位错等微观结构在烧结得到的碳化硅陶瓷中得以保留。通过该方法得到的碳化硅陶瓷，具有结构均匀、晶须形貌保留度高、致密度高以及力学性能好等

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112645726 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202011546366.0 C04B 35/645 (2006.01) (22)申请日 2020.1

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