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本公开提供一种端面耦合器及其制造方法。该方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一衬底上的绝缘层以及绝缘层上的半导体层；对半导体层进行图案化以形成第一波导；在绝缘层上形成第一介质层；在第一介质层和第一波导上形成第二介质层；在第二介质层上形成第二波导；形成覆盖第二波导的第三介质层；在第三介质层远离第二波导的一侧，将第三介质层键合至载体衬底；去除第一衬底；以及在绝缘层的表面上形成第四介质层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112630886 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011525590.1
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 联合
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