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2023-06-03 发布于四川
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本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管，该发光二极管包括：发光二极管包括：衬底、外延层、第一钝化层、内电极层，第一钝化层上设置有第二开槽，第二内电极区经第二开槽电连接第二半导体层；其中，每个第二内电极区所对应的第二开槽的数量大于或等于2个，且彼此间隔设置。通过上述方式，本申请能够解决现有技术中空洞面积过大所导致的技术问题，提高发光二极管与封装支架焊接后的推拉力水平，提高发光二极管封装产品的机械性能；另一方面，本申请能够提高发光二极管产品的电流扩散与热扩散的均匀性，进而提高发光二极管产

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112635631 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202011627999.4 审查员杨慧敏 (22)申请日 2020.12.31

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