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SiC半导体装置.pdfVIP

SiC半导体装置.pdf

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    一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层和多个改质线，上述SiC半导体层包含SiC单晶、且具有作为元件形成面的第一主面、上述第一主面的相反侧的第二主面、以及连接上述第一主面和上述第二主面的多个侧面，多个上述改质线在上述SiC半导体层的各上述侧面各形成1层、分别沿上述SiC半导体层的上述第一主面的切线方向以带状延伸、且被改质为与上述SiC单晶不同的性质。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112640048 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 201980054005.3 川上泰宏　中泽成哉　久津间保德　 (22)申请

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