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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明涉及一种RRAM的读取电路及读取方法，属于半导体存储器技术领域，解决了现有技术中参考单元使RRAM芯片面积变大，成本变高，功耗较大，RRAM可靠性差的问题。一种RRAM读取电路包括：RRAM单元、放大器、反相器；RRAM单元的源线一端和放大器正输入端连接，另一端用于输入读取电压，RRAM阵列的位线和放大器负输入端连接；放大器，用于检测并放大同时刻位线和源线上的电压差异，并将放大后的信号输出至反相器的输入端；反相器，用于将输入端的高电平信号/低电平信号转变为0/1输出，所述反相器的输出端作为
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115527586 A
(43)申请公布日 2022.12.27
(21)申请号 202211155750.7
(22)申请日 2022.09.22
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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