1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约6.11千字
  • 约 6页
  • 2023-06-03 发布于四川
  • 举报

一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管.pdf

    本发明提供一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管，所述制备方法包括以下步骤：制备一N型半导体衬底，在衬底上形成一N型外延层；在所述N型外延层上场氧形成一热氧化层；通过N+截止环掩模版曝光刻蚀露出N+open离子注入窗口区；在所述N+open的窗口区高能离子注入离子磷；通过PLS主结掩模版曝光刻蚀PLS主结区，并高能离子注入硼；完成后进行高温推进形成P阱与N阱；在器件正面溅射铝，通过金属掩模版曝光刻蚀形成正电极；在正电极表面淀积钝化层，通过钝化层掩模版曝光刻蚀形成器件保护结构；在N型半导体衬底的背

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112652534 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011528257.6 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人 深圳市美浦森半导体有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >