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本发明涉及蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质。一种技术，其可以充分去除使用包含CF系气体的气体的等离子体蚀刻后的图案中生成的损伤层。一种蚀刻方法，其具备：准备具有在含硅部分上形成的蚀刻对象部的基板的工序；利用包含CF系气体的处理气体的等离子体，将基板的蚀刻对象部等离子体蚀刻成规定图案的工序；和，将损伤层去除的工序，所述损伤层是通过等离子体蚀刻而C和F注入到在图案底部露出的含硅部分中来生成的，将损伤层去除的工序具备如下工序：供给包含氧的自由基和包含氟的自由基，将损伤层用包含氟的自由基进行蚀刻并利
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635317 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202010966419.8
(22)申请日 2020.09.15
(30)优先权数据
2019-1725
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