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一种阻变存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种阻变存储器及其制备方法.pdf

    一种阻变存储器及其制备方法，该方法包括在CMOS后段工艺的第一金属层表面淀积第一介质层以及在第一介质层中制备阻变存储器单元的下电极；在第一介质层中依次淀积氧化物阻变层、dummy介质层和dummy金属层并图形化；在阻变存储器单元结构的表面、下电极层和第一介质层表面淀积阻挡层；沉积CMOS后段工艺的第二介质层；通过第二介质层中的接触孔及第二金属层，引出阻变存储器单元的上电极，下电极通过第一金属层引出。因此，本发明限制阻变层中氧空位导电通道的形成区域，以提升器件一致性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112635668 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202011618520.0 (51)Int.Cl.

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