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本发明涉及一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构,解决CIGS共蒸法的各元素蒸发源蒸发温度高低差异大,铜源、铟镓合金源的高温辐射对硒源相邻侧的温度产生影响,会导致硒源蒸发不稳定,影响产品质量的问题。本装置包括真空腔,真空腔内设有待镀膜的基底,其特征在于:所述基底下方设置有硒源、铜源、铟源、镓源,所述硒源为设置在真空腔下方外侧的外置硒源,真空腔下壁通过硒蒸气导向管连接外置硒源,所述硒蒸气导向管沿输送方向设置若干加热电极,硒蒸气导向管的外侧包绕隔热层。本发明外置硒源不会受到铜源、铟源、镓源的辐射热影响,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112626465 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011592347.1
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 尚越
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