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本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，具体公开了一种碳化硅CVD工艺腔体装置及使用方法；包括装置基座，装置基座的上表面开设有沉积内腔，沉积内腔中设置有加热盘体，加热盘体的内部设置有螺旋线形的电阻加热棒，加热盘体的上表面设置有覆盖盘，加热盘体的边缘侧面设置有边缘环，加热盘体上开设有若干顶针孔，每个顶针孔中均活动设置有一个顶针，装置基座的下端旁侧设置有用于驱动加热盘体上升或下降的加热升降组件；本发明公开的碳化硅CVD工艺腔体装置其电阻加热棒在加热盘中呈螺旋线形设置，其能够使得保证加热盘受热均匀，其提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112647062 B
(45)授权公告日 2021.07.27
(21)申请号 202011437366.7 C23C 16/52 (2006.01)
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