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- 2023-06-03 发布于四川
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提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652559 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011536845.4 (51)Int.Cl.
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