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- 2023-06-04 发布于四川
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本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物纳米片褶皱应变的调控方法。将二维过渡金属硫族化合物纳米片转移到载体基底上,旋涂PMMA胶干燥后放入腐蚀液的液面上,缓慢氧化界面处的载体基底产生小气泡,以鼓泡的形式产生的应力使PMMA膜下面的过渡金属硫族化合物纳米片产生褶皱,并脱离载体基底,清洗,再用目标基底捞出带有二维过渡金属硫族化合物纳米片的PMMA膜,干燥得到具有均匀褶皱应变的二维过渡金属硫族化合物纳米片。由于该方法直接将应变施加在材料上,应变有效稳定,同时避免了应变调控对基底的严重依赖性。而施加在材料上
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112694128 B
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202011511098.9 B82Y 30/00 (2011.01)
(22)申请日
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