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单片集成紫外-红外双色雪崩光电二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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单片集成紫外-红外双色雪崩光电二极管及其制备方法.pdf

    本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种单片集成紫外‑红外双色雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、本征倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层；周期性异质结构吸收层由两种材料交替生长而成，沿材料生长方向上形成量子限制效应，导带内子带能级间跃迁对应于红外光子的吸收，价带到导带的带间跃迁对应于紫外光子的吸收。吸收层内产生的光生电子均可以迁移到本征倍增层中发生碰撞离化，同时实现双波段的雪崩探测。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 106847933 A (43)申请公布日 2017.06.13 (21)申请号 20171

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