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氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法.pdf

    本公开提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片包括衬底以及层叠在所述衬底上的缓冲层、高阻缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层和帽层，所述帽层包括依次层叠的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层为P型掺杂的InxGa1‑xN/MgN超晶格结构，0＜x＜1，所述第二半导体层为P型掺杂的AlyGa1‑yN/InzGa1‑zN超晶格结构，0＜y＜1，0＜z＜1。该外延片可以提高帽层中Mg的掺杂浓度，形成增强型HEMT，同时提高增强

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112701160 B (45)授权公告日 2022.08.09 (21)申请号 202011450127.5 H01L 29/15 (2006.01)

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