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本发明属于电化学传感器领域,公开了一种传感器集成芯片及其制备,该电化学传感器集成芯片,包括位于晶圆级半导体基底上的参考电极和对电极,在参考电极和对电极上各设置有绝缘层,外延硅层则外延沉积在绝缘层上;该外延硅层的一端位于参考电极的上方,另一端位于对电极的上方;半导体基底与外延硅层包围形成内部中空结构,该中空结构用于作为电解液腔容纳电解液;外延硅层上还开设有孔洞,在该外延硅层的表面及孔内壁上自内向外均依次沉积有工作电极绝缘层、工作电极层和隔膜层;孔洞与电解液腔相连通。本发明通过采用SurfaceM
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112666236 A
(43)申请公布日
2021.04.16
(21)申请号 20201
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