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- 2023-06-04 发布于四川
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本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层；在开口侧壁上形成第一侧墙并去除开口暴露的控制栅层；在开口侧壁上形成第二侧墙，同时去除开口底部暴露的层间介质层，以使所述开口下方的浮栅层暴露；去除开口底部暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩模层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明取消了第二侧墙的制备工艺之前进行的层间介质层的湿法刻蚀工艺，使所述层间介质层在所述第二侧墙的制备过程中保护浮栅层不受刻蚀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116206964 A
(43)申请公布日 2023.06.02
(21)申请号 202310320106.9
(22)申请日 2023.03.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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