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本发明提供一种利用石墨盘和衬底生长AlN外延层的方法，包括用于放置衬底的石墨盘和衬底，具体特征如下：1)放置衬底的石墨盘凹槽靠近外边界有一圈凸起，高0.1‑1mm，与石墨盘凹槽底部形成同心圆环的结构；2)衬底边缘背面一圈进行刻蚀，形成深度为0.1‑0.5mm的凹槽，所形成的环状凹槽刚好和石墨盘表面凸起契合，使石墨盘凸起可以嵌入刻蚀衬底背面凹槽中；3)使用所述石墨盘以及衬底生长AlN外延层；本发明一方面解决了为获得晶体质量较高的AlN层而导致AlN层容易出现裂纹的情况，另一方面降低了离心力对衬底的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687609 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011558595.4
(22)申请日 2020.12.25
(71)申请人 至芯半导体（杭州）有限公司
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