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一种埋置元件的封装方法及封装结构.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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一种埋置元件的封装方法及封装结构.pdf

    本发明公开一种埋置元件的封装方法及封装结构，该埋置元件的封装方法，包括：将半导体元件结合于引线框架；压合DAF材料，形成DAF层；加工第一导通孔；设置第一导电结构；将引线框架刻为图案化导电层，形成第一导电部；位于半导体元件相对两侧的第一导电结构与同一第一导电部电连接，形成电磁干扰屏蔽结构；该埋置元件的封装结构包括：引线框架，其为图案化导电层，其包括第一导电部；半导体元件，其结合于第一导电部；DAF层，其覆盖引线框架的正面及半导体元件；半导体元件的正面电极接点露出；第一导电结构，其与第一导电部结合

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112701055 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202011536527.8 H01L 23/495 (2006.01)

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