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基于网格化结构电极提高金刚石异质外延形核均匀性的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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基于网格化结构电极提高金刚石异质外延形核均匀性的方法.pdf

    基于网格化结构电极提高金刚石异质外延生长均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石领域，它为了解决金刚石大面积外延生长均匀性差的问题。一、衬底位于样品台的中心处，将网格化电极放置在腔体底座上；二、设备抽真空；三、升温过程；四、开启直流偏压电源，进行偏压增强形核；五、降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长；六、外延金刚石膜光刻图形化加工与生长。本发明在偏压增强形核过程中，通过网格化结构Mo电极能够促使等离子体聚集于网状结构Mo电极表面，等离子体内部的正离子在复合衬底上方聚集形成辉光层，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112695382 B (45)授权公告日 2022.03.15 (21)申请号 202011466532.6 C30B 25/18 (2006.01)

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