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碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法.pdf

    本公开涉及碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法。一种光电检测器形成在由N型的第一外延层和P型的第二外延层形成的碳化硅主体中。第一和第二外延层布置在彼此上，并且形成包括突出部分、倾斜侧部和边缘部分的主体表面。绝缘边缘区域在倾斜侧部和边缘部分之上延伸。阳极区域由第二外延层形成并且由突出部分和倾斜侧部界定。第一外延层在阳极区域下方形成阴极区域。具有高于第一外延层的掺杂水平的N型的掩埋区域在与倾斜侧部以及边缘区域相距一定距离处在突出部分下方在阳极和阴极区域之间延伸。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116207180 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310305109.5 H01L 31/0312 (2006.01)

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