理工类专业课复习资料-《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版).docx

项目一习题参考答案 PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。 在常温下，硅二极管的死区电压约为05V,导通后正向压降约为0.6?0.8V ；锗二 极管的死区电压约为01V,导通后正向压降约为0.2?0.3V。 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制 型器件，控制能力的大小可用g表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏,集电结反偏。 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用知表示，它的主要特点是输入电 阻很大。 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端 会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压Uab（设 VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零）。 VDhskQ-oAVD-oA-oA丰15V丰12V中15Vn 3kQ丰12V VD hskQ -oA VD -oA -oA 丰15V 丰12V 中15V n 3kQ 丰12V (b) ± A [1 3kQ 半12V (d) 图1.52题6图 解：(a) VD 导通，Uab=-6V。 VD 截止，Uab=-12 V。 VD1 导通，VD2截止，Uab=0 Vo VD1 截止，VD2导通，Uab=-15 Vo 形。 7.在图1.53所示电路屮，设VD为理想二极管，u =6sin。t (V),试画出uQ的波形。 图1.53题7图 解：(a) (b) 8.电路如图1.54所示，已知Ui=5sinS t(V),二极管导通电压为0.7V。试画出u与的波 解：Ui>3.7V 时，VD1 导通，VD2 截止，Uo=3.7V； 3.7V >Ui>-4.4V 时，VD1 截止，VD2 截止，u°= u ； Ui<-4.4V 时，VD1 截止，VD 导通，uo= -4.4 V。 9.测得电路屮几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。 图1.54题8图 图1.55题9图 解：（a）三极管已损坏，发射结开路 （b）放大状态 （c）饱和状态（d）三极管已 损坏，发射结开路 测得放大电路屮六只晶体管的电位如图1.56所示。在圆圈屮画出管子，并说明它 们是硅管还是锗管。 图1.56题10图 解： 为什么场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻要高很多？ 解：栅、源极间的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻。 图1.57所示符号各表示哪种沟道JFET?其箭头方向代表什么？ 图1.57题12图 解：(a) N 沟道 JFET,(b) P 沟道 JFET 箭头的方向表示PN结正偏的方向，即由P指向N 试分别画出N沟道增强型和耗尽型MOS管、P沟道增强型和耗尽型MOS管的电 路符号。 解： (a) N沟道增强型MOS管 (b) P沟道增强型MOS管 (a) N沟道耗尽型MOS管 (b) P沟道耗尽型MOS管 一个场效应管的转移特性曲线如图1.58所示，试问: ⑴它是N沟道还是P沟道的FET？ (2)它的夹断电压"p和饱和漏极电流Idss各是多少？ 图1.58题14图 解：(1) N沟道JFET (2)"p=-3V，Toss=3mA 图1.59所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型， 说明它的开启电压UT =?如果是耗尽型，说明它的夹断电压UP = ?其屮Zb的参考方向为流 进漏极。 图1.59 图1.59题15图 解：(a) N沟道耗尽型MOS管，up=-3Vo P沟道耗尽型MOS管，up=2Vo P沟道增强型MOS管，ut=-4Vo 在图1.60所示电路屮，已知发光二极管导通电压为1.5V,正向电流在5?15mA时 才能正常工作。试问： 开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ R的取值范围是多少？ 解：(1)开关S闭合时，发光二极管才能发光。 (2) Rmm= (5-1.5) /15=0.23KQ Rmax= (5-1.5) /5=0.7KQ R的取值范围是0.23KQ?0.7KQ。 图1.61 题17图已知稳压管的稳压值Uz=6V,稳定电流的最小值Tzmm=5mA，求图1.61所示电路屮 Uo1和Uo2各为多少伏。 图1.61 题17图 图1.60题16图解：(a)因为：2xl0/(2+0.5)=8V>6V,所以稳压管工作在反向击穿状态，W=6V。 (b)因为：2xlO/(2+2)=5V<6V,所以稳压管工作在反向截止状态，U°2=5V。 项目二习题参考答案 判断下列说法是否正确（在括号屮打“十'或）。 TOC \o "1-5" \h \z （1） 在三极管放大电路屮，为了稳定直流工作点可引入直流负反