一种垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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一种垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdf

本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:1)、在衬底(1)上生长二维六方氮化硼层(2);2)、在二维六方氮化硼层(2)上溅射AlN层(3);3)、在AlN层(3)上依次制作N型GaN层(4)、多量子阱层(5)、P型GaN层(6)和顶部DBR层(7),形成外延结构;4)、使顶部DBR层(7)与铜衬底(8)相接触以将外延结构倒装键合在铜衬底(8)上;5)、将热释放胶带紧贴于衬底(1)上,将衬底(1)和二维六方氮化硼层(2)从AlN层(3)上剥离掉;6)、在AlN层(3

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116207615 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310074651.4 (22)申请日 2023.02.07 (71)申请人 江苏芯港半导体有限公司 地址 2

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