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- 2023-06-04 发布于四川
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本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:1)、在衬底(1)上生长二维六方氮化硼层(2);2)、在二维六方氮化硼层(2)上溅射AlN层(3);3)、在AlN层(3)上依次制作N型GaN层(4)、多量子阱层(5)、P型GaN层(6)和顶部DBR层(7),形成外延结构;4)、使顶部DBR层(7)与铜衬底(8)相接触以将外延结构倒装键合在铜衬底(8)上;5)、将热释放胶带紧贴于衬底(1)上,将衬底(1)和二维六方氮化硼层(2)从AlN层(3)上剥离掉;6)、在AlN层(3
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116207615 A
(43)申请公布日 2023.06.02
(21)申请号 202310074651.4
(22)申请日 2023.02.07
(71)申请人 江苏芯港半导体有限公司
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