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- 2023-06-04 发布于四川
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本申请提供一种晶圆承载盘及其制备方法。该晶圆承载盘的制备方法包括：提供承载主体；在所述承载主体的表面形成第一缓冲层；所述第一缓冲层被配置为第一α相碳化硅；在所述第一缓冲层背离所述承载主体的一侧表面形成第二缓冲层，所述第二缓冲层被配置为第二α相碳化硅。该方法所制得的晶圆承载板极大缓解了外延晶圆背面粗糙化程度；进而可以有效提高后期蒸镀至外延晶圆背面的金属层的粘附性，降低了金属层从外延晶圆背面脱落的风险；同时，改善了外延晶圆的翘曲程度；外延晶圆与晶圆承载盘的接触也会更加均匀和紧密。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116200822 A
(43)申请公布日 2023.06.02
(21)申请号 202310074944.2 C30B 29/36 (2006.01)
(22)申请日 2023.01.
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