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本发明提供了一种制备氮化铝薄层的方法。本方法首先在衬底上生长一层氮化铝薄层，然后对此氮化铝薄层做热碱腐蚀处理，腐蚀出位错坑。腐蚀出位错坑的氮化铝薄层二次生长后，能够把底层产生的位错有效阻挡于位错坑内，形成低位错密度的氮化铝薄层，极大提高了氮化铝薄层的质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687771 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202011558357.3 C23C 16/34 (2006.01)
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