一种制备AlN薄层的方法.pdfVIP

一种制备AlN薄层的方法.pdf

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本发明提供了一种制备氮化铝薄层的方法。本方法首先在衬底上生长一层氮化铝薄层，然后对此氮化铝薄层做热碱腐蚀处理，腐蚀出位错坑。腐蚀出位错坑的氮化铝薄层二次生长后，能够把底层产生的位错有效阻挡于位错坑内，形成低位错密度的氮化铝薄层，极大提高了氮化铝薄层的质量。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112687771 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202011558357.3 C23C 16/34 (2006.01)

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