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本发明提供了一种双温区独立控制的碳化硅单晶生长装置和生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明提供的碳化硅单晶生长装置，本发明采用上、下两个感应加热线圈，两个线圈分别连接第一电源和第二电源独立加热，分别连接第一线圈移动电机和第二线圈移动电机可以独立上下移动，利用上感应加热线圈和下感应加热线圈可以分别独立控制碳化硅籽晶处的温度场及碳化硅粉料处的温度场，保证生长过程中以及不同炉次之间温度及温度梯度的稳定性，提高SiC单晶生长的稳定性及重复性，解决了传统单感应线圈加热SiC单晶生长设备不能同时控制上下温度
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112663134 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011373845.7
(22)申请日 2020.11.30
(71)申请人 山西烁科晶体有限公司
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