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本发明属于纳米半导体材料领域，公开了一种二维In2S3/SnS异质结晶体材料的制备方法，该制备方法是先将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，然后，将前驱体置于单温区反应炉的中心温区内，在通入载气的条件下，将该反应炉升温至预先设定的目标温度以进行反应，以便利用载气将前驱体受热蒸发产生的气相In2S3和气相SnS带入位于中心温区下游的沉积区，从而在位于下游沉积区中的衬底上沉积形成二维In2S3/SnS异质结晶体材料。本发明通过对制备方法一步法的反应原理、关键反应条件及参数(如，原料的组成，反应温
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112663144 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202011450588.2 审查员 胡晓珊
(22)申请日 2020.12.10
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