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一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法.pdf

    本申请提供了一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法，其中ZnS基底长波红外增透保护膜包括依次设置在所述ZnS基底上的ZnS膜层和Y2O3膜层；ZnS基底厚度：2‑15mm，各膜层的厚度为：ZnS膜层：80‑120nm，Y2O3膜层：1000‑1300nm，Y2O3膜层从内部到表面膜层结构逐渐变化。制备ZnS基底长波红外增透保护膜的方法，包括以下步骤：1)对ZnS基底进行抛光处理和表面处理；2)在所述ZnS基底上沉积ZnS膜层；3)在所述ZnS膜层上沉积Y2O3膜层，沉积开始时初始氧氩比为(

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112698430 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202011460832.3 (51)Int.Cl.

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