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适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆.pdf

    本发明公开了一种适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆，属于微纳米材料测量研究领域。包括样品杆杆头、样品杆杆身、手握柄，所述的样品杆杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成，所述的样品杆杆头设有适用于FIB技术制样的载物台，载物台由固定底片和压盖组成。载物台底片两侧有通孔可以引线路通电。样品杆杆头上设置有微型电磁铁。本发明可以直接装载FIB专用微栅，应用于透射电子显微镜中在洛伦兹模式下直接原位观察磁性结构在水平磁场的作用下的磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。亦可以在透射电镜中其他

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112697818 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202011471198.3 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人 兰州

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