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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在半导体衬底的密集区和稀疏区中分别对应形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的密度大于第二沟槽的密度；在第一沟槽和第二沟槽中和半导体衬底上沉积初始隔离层；回刻蚀初始隔离层以形成过渡隔离层，过渡隔离层包括密集区过渡隔离层表面的第一凸刺物和稀疏区过渡隔离层表面的第二凸刺物，第一凸刺物的密度大于第二凸刺物的密度；对过渡隔离层进行凸刺平整化处理以去除至少部分高度的第一凸刺物和至少部分高度的第二凸刺物；之后研磨过渡隔离层以形成第一沟槽中的第一隔离结构和第二沟槽中的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750755 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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