氧化镁密封腔的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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本公开描述了一种氧化镁密封腔的制备方法,其包括:准备工序,准备第一氧化镁晶片和第二氧化镁晶片;图案化工序,对第一氧化镁晶片的掩膜层进行光刻形成预定的图案;刻蚀工序,使用磷酸溶液对第一氧化镁晶片进行湿法刻蚀,并去除掩膜层;以及键合工序,对刻蚀后的第一氧化镁晶片的带有腔体的一面进行表面处理,对第二氧化镁晶片的一面进行表面处理,并将第一氧化镁晶片的第一键合面与第二氧化镁晶片的第二键合面直接键合,以形成由第一氧化镁晶片和第二氧化镁晶片组成的密封体。由此,能够提高这种密封体的密封性能,且利用氧化镁的优良力

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112744781 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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