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- 2023-06-05 发布于四川
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一种具双自由层的磁性随机存储器存储单元，存储单元包括依次向上层叠设置的参考层、势垒层、自由层、覆盖层，所述自由层内部，按照第一自由层、杂质吸收层、第二自由层的依次向上叠加设置；其中，所述第一自由层和第二自由层的磁化矢量在透过杂质吸收层的RKKY耦合作用下呈现平行的状态。双自由层的磁性隧道结结构，能够增加自旋转移力矩效率和磁性随机存储器的热稳定性，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750945 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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