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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明涉及一种基于p型铜基硫化物半导体薄膜的光电化学裂解水光阳极及其电极系统，其包括工作电极、参比电极和对电极，工作电极为Cu3BiS3基光阳极，Cu3BiS3基光阳极包括导电衬底、位于导电衬底上的电子传输层、位于电子传输层上的Cu3BiS3吸收层、位于吸收层上的缓冲层、位于缓冲层上的保护层、位于保护层上的析氧助催化剂层。在本发明的电极系统中，通过特殊的结构设计实现了p型半导体Cu3BiS3薄膜的光阳极的构建。相较于传统n型半导体作为吸光层制成的光阳极，该光阳极的光吸收能力得到显著提升，进而提升
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115747826 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211444589.5 C25B 11/02 (2021.01)
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