聚偏氟乙烯薄膜的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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本申请提供一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法,包括步骤:将重均分子量为1.0×105至3.0×105的PVDF分散于溶剂中,形成PVDF溶液;所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型,得到初始膜,其中,定义所述初始膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1,定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2;及对所述初始膜进行退火处理,得到γ晶含量超过40%的聚偏氟乙烯薄膜;其中,所述退火处理的退火温度的范围为A1‑3℃至A2+8℃,或A1‑3℃至A2+5℃。还提供一种电容器的制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112745517 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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